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先介绍了一种双极型过温保护电路,虽然这种电路模拟精度高,驱动能力强,但电路本身存在热振荡问题。
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This paper introduces the successful application of the program to IC bipolar device.
文中介绍了用该法编制的程序及其成功的应用。
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本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。
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Firstly, by following 40V bipolar process the device can be inexpensive in cost and small in size.
首先采用40V双极型工艺可降低芯片的成本和面积;
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由于双极器件开发早、工艺相对成熟、稳定,而且用双极工艺可以制造出速度高、驱动能力强、模拟精度高的器件,适用于高精度的模拟集成电路。
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这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点,即有两种载流子参与导电,导电能力受电压控制,具有较大的电流容量和输入电阻。
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